本报告书内容包括：相变化内存（PCM）及传统的半导体内存（SRAM・DRAM・NOR型闪碟・NAND型闪碟等）的比较分析、主要销售企业发展PCM的行动、今后的技术蓝图、2015年之前的市场预测・价格预测等。内容纲要摘记如下：
实施概要
内存概要
- 介绍
- 内存技术层次
- SRAM
- DRAM
- NOR型闪碟
- NROM
- NAND型闪碟
PCM（相变化内存）
- 介绍
- 相变化材料
- 内存储存单元的概念
- 基本操作
- 内存储存单元的变化
- 选择设备
- PCM的特性
- 多重储存单元PCM
- 设备陈列方式
- PCM的可信度
- 成本因素
- 晶圆尺寸
- 制程的复杂性
- 技术规模
- 规模参数
- 蓝图
PCM的开发状况
- PCM开发状况
- ATMI, Inc.
- BAE Systems
- CAMELS
- Elpida
- Hynix Semiconductor
- IBM
- IMEC
- ITRI
- Macronix International
- Nanochip
- Numonyx (Intel/ST)
- NXP Semiconductors
- Ovonyx
- Qimonda AG
- Renesas Technology
- Samsung Electronics
- STMicroelectronics
- ULVAC
市场预测
- 应用
- 市场
